Semikron Danfoss IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 78 W, 70-Pin SEMITOP4 Typ N-Kanal Oberfläche

Aufgrund der Serienkonfiguration dieser Semikron-Vierfach-IGBT-Module sind sie die perfekte Lösung für Anwendungen, bei denen eine 3-Ebenen-Topologie mit hoher Leistung erforderlich ist. Diese kompakten SEMITOP-3-Module für Leiterplattenmontage verfügen über eine Einlochbefestigung mit ausgezeichneter Wärmeübertragung und nutzen die Trench-IGBT-Technologie. Zu den typischen Anwendungen gehören 3-phasige DC/AC-Wechselrichter und USV-Netzteile.

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.