Semikron Danfoss IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 78 W, 70-Pin SEMITOP4 Typ N-Kanal Oberfläche

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

190,20 €

(ohne MwSt.)

226,34 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +190,20 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
905-6166
Herst. Teile-Nr.:
SK 150 MLI 066 T
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

150A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Gehäusegröße

SEMITOP4

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

70

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.05V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747-1, UL

Höhe

15.08mm

Serie

MLI-T

Länge

55mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IT

Vierfach-IGBT-Module


Aufgrund der Serienkonfiguration dieser Semikron-Vierfach-IGBT-Module sind sie die perfekte Lösung für Anwendungen, bei denen eine 3-Ebenen-Topologie mit hoher Leistung erforderlich ist. Diese kompakten SEMITOP-3-Module für Leiterplattenmontage verfügen über eine Einlochbefestigung mit ausgezeichneter Wärmeübertragung und nutzen die Trench-IGBT-Technologie. Zu den typischen Anwendungen gehören 3-phasige DC/AC-Wechselrichter und USV-Netzteile.

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links