Infineon 1ED3122MX12H Gate-Ansteuerungsmodul, EVAL-1ED3122MX12H MOSFET-Gate-Ansteuerung

Der Infineon EVAL-1ED3122MX12H ist in Halbbrückenkonfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED3122MU12H) zur Ansteuerung von Leistungsschaltern wie IGBTs und SiC MOSFETs. Diese Platine wird mit Trenchstop IGBT IKQ75N120CH3 geliefert. Ein zusätzlicher Gate-Treiber-IC wird für ein isoliertes Überstrom-Rückführsignal von der Hochspannungsseite zur Logiksteuerungsseite verwendet. Schneller Operationsverstärker wird als Komparator für die Überstromerkennung verwendet. Diese Platine eignet sich am besten für die Prüfung von Doppelimpulsen.

Integrierte Filter reduzieren den Bedarf an externen Filtern
Enge Ausbreitungsverzögerung ermöglicht minimale Totzeit, was die Systemeffizienz verbessert und harmonische Verzerrung verringert
Der präzise Schwellenwert und die Zeit in Kombination mit der UL 1577-Zertifizierung ermöglichen eine überlegene Anwendungssicherheit
Hohe Isolierungsfähigkeit, kann in 1500-V-DC-Solarwechselrichteranwendungen verwendet werden

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