Infineon 1ED3491MX12M Gate-Ansteuerungsmodul MOSFET-Gate-Ansteuerung

Der Infineon EVAL-1ED3491MX12M ist in Halbbrückenkonfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED3491MU12M) zur Ansteuerung von Leistungsschaltern wie Si MOSFETs, IGBTs und SiC MOSFETs. Der Schaltertyp kann frei gewählt werden. Die Platine hat eine Größe von 85 x 55 x 15 mm ohne montierten Netzschalter. Trenchstop IGBT IKW40N120H3 oder CoolSiC MOSFET IMW120R030M1H wird empfohlen. Diese Platine eignet sich am besten für die Prüfung und Evaluierung von Doppelimpulsen. Die Niederspannungs-Versorgungsschnittstelle kann von einem Impulsgenerator, einem Mikrocontroller oder einem anderen geeigneten digitalen Schaltkreis gesteuert werden. Die Evaluierungsplatine verfügt über ein Netzteil für die Primär- und Sekundärseite.

Übertemperaturabschaltung bei 160 °C (±10 °C)
Enge Anpassung der IC-auf-IC-Laufzeit (max. 30 ns)
Hohe Gleichtakt-Störfestigkeit CMTI >200 kV/μs
Geeignet für den Betrieb bei hoher Umgebungstemperatur bis 125 °C.
Ermöglicht schnelle Entwicklungszyklen aufgrund der geringen Anzahl externer Komponenten und bietet dennoch einen verstellbaren DESAT mit Soft-Off-Funktionalität

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