Infineon DR3KIMBGSICMA Gate-Ansteuerungsmodul MOSFET-Gate-Ansteuerung

Das Infineon REF-DR3KIMBGSICMA Referenzdesign, das aus zwei Leiterplatten (jeweils als Treiberplatine und eine Leistungsplatine bezeichnet) besteht, einschließlich eines Treiberschaltkreises und eines 3-phasigen Wechselrichters für Motorantriebsanwendungen. Der Treiberschaltkreis basiert auf EiceDRIVE - 1DI20I12MH mit Miller Clamp Funktion. Die Platine wurde zur Evaluierung der CoolSi MOSFET - IMBG120R045M1H-Lösung in integrierten Servoantriebsanwendungen entwickelt. Es ist die Hauptkomponente für den 3-phasigen Wechselrichter. Die iMOTION MADK EVAL-M1-101T-Steuerplatine kann zur einfachen Evaluierung der elektrischen Leistung des Systems verwendet werden.

Ermöglicht passive Kühlung ohne Lüfter
Extrem kleine Abmessungen mit einem Leiterplatten-Durchmesser von 110 mm
Hohe Leistungsdichte
Überstromschutz

718