STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 25 W, 3-Pin STF6N95K5

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RS Best.-Nr.:
151-419
Herst. Teile-Nr.:
STF6N95K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Serie

MDmesh K5

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des On-Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Branchenweit niedrigster RDS(on) x Fläche

Branchenweit bestes FoM

Extrem niedrige Gate-Ladung

100% Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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