STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
761-2751
Herst. Teile-Nr.:
STF13NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-25V, +25V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Höhe

16.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package


These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

All features


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

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