STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
103-1999
Herst. Teile-Nr.:
STF13NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

MDmesh

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

360 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

16.4mm

N-Kanal 600 V, 280 mOhm typisch, 11 A MDmesh II Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse


Bei diesen Bauelementen handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit dem Streifen-Layout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Werte bei On-Widerstand und Gate-Ladung zu erzielen. Sie eignen sich daher auch für die anspruchsvollsten Hocheffizienz-Wandler.

Alle Funktionen


  • 100 % Avalanche-getestet

  • Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

  • Niedriger Gate-Eingangswiderstand

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