STMicroelectronics Einfach MDmesh N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
103-1999
Herst. Teile-Nr.:
STF13NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

MDmesh

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

25 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-220FP

Höhe

16.4 mm

Länge

10.4 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

360 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V, -25 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Breite

4.6 mm

N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package


These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

All features


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

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