STMicroelectronics Einfach MDmesh Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 11 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 103-1999
- Herst. Teile-Nr.:
- STF13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,884 € | 94,20 € |
| 100 - 450 | 1,509 € | 75,45 € |
| 500 - 950 | 1,344 € | 67,20 € |
| 1000 - 4950 | 1,134 € | 56,70 € |
| 5000 + | 1,091 € | 54,55 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 103-1999
- Herst. Teile-Nr.:
- STF13NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie MDmesh | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.4mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal 600 V, 280 mOhm typisch, 11 A MDmesh II Leistungs-MOSFET in einem TO-220FP-Gehäuse
Bei diesen Bauelementen handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit dem Streifen-Layout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Werte bei On-Widerstand und Gate-Ladung zu erzielen. Sie eignen sich daher auch für die anspruchsvollsten Hocheffizienz-Wandler.
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