STMicroelectronics SuperMESH3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 151-444
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3N40K3
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STN3N40K3
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.8mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist das Ergebnis von Verbesserungen der Super MESH-Technologie, kombiniert mit einer neuen optimierten vertikalen Struktur. Dieses Gerät verfügt über einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine überlegene dynamische Leistung und eine hohe Lawinenfähigkeit, womit es für die anspruchsvollsten Anwendungen geeignet ist.
Extrem hohe dv/dt-Fähigkeit
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Verbesserte Dioden-Rückwärtswiederherstellungseigenschaften
Zenergeschützt
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