Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 166-1014
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP372NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 270mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 3.5mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 270mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 3.5mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung von 100 V, maximale Verlustleistung von 1,8 W – BSP372NH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter Schalttransistor, der für den Einsatz in Bereichen entwickelt wurde, in denen eine kompakte, hochspannende N-Kanalsteuerung erforderlich ist. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und ist für Anwendungen vorgesehen, die moderaten Gleichstrom mit effizientem Schaltverhalten erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 100-V-Drain-Source-Fähigkeit unterstützt Hochspannungsschaltungen
• Niedriger RDS(on) von 270 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 1,8 A kontinuierlicher Ablassstrom für gleichmäßiges Lastmanagement
• Die typische Gate-Ladung von 9,5 nC ermöglicht eine schnelle Antriebsreaktion
• 1,8 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen in SOT-223
• Der maximale Gate-Drive von 20 V ermöglicht ein flexibles Gate-Drive-Design
• Niedriger RDS(on) von 270 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 1,8 A kontinuierlicher Ablassstrom für gleichmäßiges Lastmanagement
• Die typische Gate-Ladung von 9,5 nC ermöglicht eine schnelle Antriebsreaktion
• 1,8 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen in SOT-223
• Der maximale Gate-Drive von 20 V ermöglicht ein flexibles Gate-Drive-Design
Anwendungsbereich
• Geeignet für elektronische Kfz-Subsysteme, die robuste Teile erfordern
• Ideal für DC/DC-Wandler in kompakten Leistungsmodulen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die eine Hochspannungsschaltung erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise verwendet werden
• Wird für allgemeine Schaltvorgänge in industriellen Schalttafeln verwendet
• Ideal für DC/DC-Wandler in kompakten Leistungsmodulen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die eine Hochspannungsschaltung erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise verwendet werden
• Wird für allgemeine Schaltvorgänge in industriellen Schalttafeln verwendet
Welches Gehäuse ermöglicht einfaches Löten und thermische Übertragung?
Das Gerät wird in einem SOT‐223-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das ein Gleichgewicht zwischen kompakter Grundfläche und einer größeren Lasche zur Wärmeableitung bietet.
Wie bewältigt es extreme Umgebungsbedingungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt sowohl Niedrigtemperaturstarts als auch Hochtemperaturbetriebsszenarien ab.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die Gate-to-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um sichere Betriebsgrenzen zu gewährleisten.
Welche Art von Kanal und Modus wird verwendet?
Er nutzt eine N-Kanal-Verbesserungsmodus-Topologie, die für Standard-Schalt- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde.
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