Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin BSP372NH6327XTSA1 SOT-223

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RS Best.-Nr.:
110-7754
Herst. Teile-Nr.:
BSP372NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Breite

3.5 mm

Distrelec Product Id

304-36-977

Automobilstandard

AEC-Q101

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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