Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,8 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 110-7754
Herst. Teile-Nr.:: BSP372NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,8 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:: BSP372NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

BSP372N OptiMOS N-ch MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,8 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	270 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.8V
Gate-Schwellenspannung min.	0.8V
Verlustleistung max.	1,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	9,5 nC @ 10 V
Breite	3.5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Höhe	1.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,8 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon

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