Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

12,95 €

(ohne MwSt.)

15,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1.250 Einheit(en) mit Versand ab 09. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
50 +0,259 €12,95 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
826-9260
Distrelec-Artikelnummer:
304-44-413
Herst. Teile-Nr.:
BSP296NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Breite

3.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links