Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.2 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
124-8756
Herst. Teile-Nr.:
BSP296NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Breite

3.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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