STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 400 mA 3.3 W, 4-Pin SOT-223

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687-5131
Distrelec-Artikelnummer:
304-43-897
Herst. Teile-Nr.:
STN1HNK60
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

3.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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