STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 mA 3,3 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 920-6591
Herst. Teile-Nr.:: STN1HNK60
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 mA 3,3 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 920-6591
Herst. Teile-Nr.:: STN1HNK60
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	400 mA
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	SOT-223
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Gate-Schwellenspannung min.	2.25V
Verlustleistung max.	3,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.5mm
Breite	3.5mm
Höhe	1.8mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 mA 3,3 W, 3-Pin SOT-223

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N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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