STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1NK80Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 250 mA 2,5 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 165-7543
Herst. Teile-Nr.:: STN1NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1NK80Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 250 mA 2,5 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 165-7543
Herst. Teile-Nr.:: STN1NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 1A 800V SuperMESH DPAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	250 mA
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	SOT-223
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	16 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	3.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,7 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.8mm

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1NK80Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 250 mA 2,5 W, 3-Pin SOT-223

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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