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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1NK80Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 250 mA 2500 mW, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 714-1076
Herst. Teile-Nr.:: STN1NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STN1NK80Z N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 250 mA 2500 mW, 3-Pin SOT-223

2610 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,919 €

(ohne MwSt.)

1,094 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,919 €	9,19 €
100 - 490	0,69 €	6,90 €
500 - 990	0,583 €	5,83 €
1000 +	0,469 €	4,69 €

*Bitte VPE beachten

Nicht als Expresslieferung erhältlich

RS Best.-Nr.:: 714-1076
Herst. Teile-Nr.:: STN1NK80Z
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	250 mA
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	SOT-223
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	16 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	2500 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7,7 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.8mm