Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin USM

RS Best.-Nr.:: 184-717
Herst. Teile-Nr.:: SSM3K16FU(F)
Marke:: Toshiba

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin USM

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RS Best.-Nr.:: 184-717
Herst. Teile-Nr.:: SSM3K16FU(F)
Marke:: Toshiba

Tr., S-MOS, Nch, 20V/0.1A, Vth=1.1V,USM
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 mA
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	USM
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.1V
Verlustleistung max.	150 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.25mm
Länge	2mm
Höhe	0.9mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin USM

MOSFET N-Kanal, Serie SSM3K, Toshiba

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