IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 194-530
Herst. Teile-Nr.:: IXFH26N50P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFH26N50P N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen

Verfügbarkeitsanzeige zurzeit leider nicht möglich - bitte versuchen Sie es später erneut.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Im Warenkorb

Preis pro Stück

7,45 €

(ohne MwSt.)

8,87 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 4	7,45 €
5 - 9	7,29 €
10 - 14	7,08 €
15 - 19	7,00 €
20 +	6,92 €

RS Best.-Nr.:: 194-530
Herst. Teile-Nr.:: IXFH26N50P
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	26 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	HiperFET, Polar
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	230 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.5V
Verlustleistung max.	400 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.3mm
Länge	16.26mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	21.46mm

RS Best.-Nr.:: 194-530
Herst. Teile-Nr.:: IXFH26N50P
Marke:: IXYS

Verwandte Produkte