DiodesZetex Doppelt ZXMS6008DN8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 0.9 A 2.13 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

0,52 €

(ohne MwSt.)

0,62 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.360 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 90,52 €
10 - 990,47 €
100 - 4990,43 €
500 - 9990,39 €
1000 +0,36 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
216-349
Herst. Teile-Nr.:
ZXMS6008DN8-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

ZXMS6008DN8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.13W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Länge

4.9mm

Höhe

1.45mm

Breite

6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex MOSFET ist ein zweifach selbstgeschützter IntelliFET-MOSFET mit niedriger Seite und Logikpegel-Eingang. Er integriert über Temperatur, Überstrom, Überspannung und ESD-geschützte Logikpegel-Funktionalität. Er ist ideal als Universalschalter, der von 3,3-V- oder 5-V-Mikrocontrollern in rauen Umgebungen angetrieben wird, in denen Standard-MOSFETs nicht robust genug sind.

Kompaktes Hochleistungs-Dissipationsgehäuse

Niedriger Eingangsstrom

Kurzschlussschutz mit automatischem Neustart

Überspannungsschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

Überstromschutz

Eingangs-ESD-Schutz

Hoher Dauerstrom-Nennstrom

Verwandte Links