DiodesZetex Doppelt N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-7493
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 182-7493
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 750mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 800μm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 3.05mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 750mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 800μm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 3.05mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Analogschalter
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