DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN

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RS Best.-Nr.:
182-7493
Herst. Teile-Nr.:
DMT6018LDR-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Durchlassspannung Vf

0.75V

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

0.8mm

Länge

3.05mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

Analogschalter

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