DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN

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RS Best.-Nr.:
182-7493
Herst. Teile-Nr.:
DMT6018LDR-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.75V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Breite

3.05 mm

Länge

3.05mm

Höhe

0.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

Analogschalter

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