DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN

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RS Best.-Nr.:
182-7493
Herst. Teile-Nr.:
DMT6018LDR-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.75V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Länge

3.05mm

Höhe

0.8mm

Breite

3.05 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

Analogschalter

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