DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-7493
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- 182-7493
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Analogschalter
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