DiodesZetex Doppelt DMHT10H032LFJ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 6 A 64 W, 12-Pin VDFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

18,17 €

(ohne MwSt.)

21,62 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.990 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 401,817 €18,17 €
50 - 901,781 €17,81 €
100 - 2401,589 €15,89 €
250 - 9901,557 €15,57 €
1000 +1,271 €12,71 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
213-9147
Herst. Teile-Nr.:
DMHT10H032LFJ-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DMHT10H032LFJ

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

64W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Länge

5mm

Breite

4.5 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Die DiodesZetex DMHT10H032LFJ-Serie ist ein N-Kanal-MOSFET in einer H-Brückenkonfiguration.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links