DiodesZetex Doppelt ZXMS6008N8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 0.9 A 2.13 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
216-350
Herst. Teile-Nr.:
ZXMS6008DN8Q-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

ZXMS6008N8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.13W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.45mm

Länge

4.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Antimony-Free

Breite

6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex MOSFET ist ein dualer selbstgeschützter Low-Side IntelliFET MOSFET mit Logikpegeleingang. Er verfügt über eine integrierte Übertemperatur-, Überstrom-, Überspannungs- und ESD-geschützte Logikebenenfunktionalität. Er eignet sich ideal als Allzweckschalter, der von 3,3-V- oder 5-V-Mikrocontrollern in rauen Umgebungen betrieben wird, in denen Standard-MOSFETs nicht robust genug sind.

Kompaktes Gehäuse mit hoher Verlustleistung

Niedriger Eingangsstrom

Kurzschlussschutz mit automatischem Wiederanlauf

Überspannungsschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

Überstromschutz

ESD-Schutz am Eingang

Hohe Dauerstrombelastbarkeit

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