DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 10000 Stück)*

4.080,00 €

(ohne MwSt.)

4.860,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 20.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
10000 +0,408 €4.080,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
182-6931
Herst. Teile-Nr.:
DMT6018LDR-13
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.9W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.75V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Länge

3.05mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Breite

3.05 mm

Höhe

0.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

Analogschalter

Verwandte Links