DiodesZetex Doppelt N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 750mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 3.05mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 750mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 3.05mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 800μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Analogschalter
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