DiodesZetex ZXMS6008DN8 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 0.9 A 1.98 W, 8-Pin ZXMS6008N8-13 SO-8

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RS Best.-Nr.:
216-352
Herst. Teile-Nr.:
ZXMS6008N8-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

ZXMS6008DN8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.98W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex MOSFET ist ein selbstgeschützter IntelliFET®-MOSFET mit niedriger Seite und Logikpegeleingang. Er integriert über Temperatur, Überstrom, Überspannung und ESD-geschützte Logikpegelfunktionalität. Er ist ideal als Universalschalter, der von 3,3-V- oder 5-V-Mikrocontrollern in rauen Umgebungen angetrieben wird, in denen Standard-MOSFETs nicht robust genug sind.

Kompaktes Hochleistungs-Dissipationsgehäuse

Niedriger Eingangsstrom

Kurzschlussschutz mit automatischem Neustart

Überspannungsschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

Überstromschutz

Eingangs-ESD-Schutz

Hoher Dauerstrom-Nennstrom

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