Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 115 W, 5-Pin PSMN3R2-40YLBX LFPAK

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219-296
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R2-40YLBX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Das Gehäuse ist für 175 °C qualifiziert. Er wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Automatisierung, Robotik, DC/DC-Wandler, bürstenlose DC-Motorsteuerung, industrielle Lastschaltung, eFuse und Einschaltmanagement.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

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