Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 59 W, 5-Pin PSMN8R5-40MLDX LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

0,56 €

(ohne MwSt.)

0,67 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 90,56 €
10 - 990,52 €
100 - 4990,48 €
500 - 9990,43 €
1000 +0,40 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-384
Herst. Teile-Nr.:
PSMN8R5-40MLDX
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia nutzt die Advanced TrenchMOS Super Junction-Technologie. Das Gehäuse ist für 175 °C qualifiziert. Er wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Automatisierung, Robotik, DC/DC-Wandler, bürstenlose DC-Motorsteuerung, industrielle Lastschaltung, eFuse und Einschaltmanagement.

Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

Hochzuverlässiger Clip, geklebt und mit Lötmatte befestigt, Power SO8-Gehäuse

Wave-Lötfähig

Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung

Verwandte Links