Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 124 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-389
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R1-30YLEX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

124W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia in einem LFPAK56-Gehäuse ist für einen niedrigen RDSon und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap in 12-20-V-Systemen, E-Sicherung, DC-Schalter, Lastschalter und Batterieschutz.

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit

Qualifiziert für 175 °C

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