Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 330 A 268 W, 5-Pin PSMNR82-30YLEX LFPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

3,07 €

(ohne MwSt.)

3,65 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 93,07 €
10 - 992,77 €
100 - 4992,56 €
500 - 9992,38 €
1000 +2,12 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-340
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR82-30YLEX
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

330A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PSM

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.87mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-ASFET von Nexperia in einem LFPAK56-Gehäuse ist für einen niedrigen RDSon und einen starken sicheren Betriebsbereich optimiert, womit er sich ideal für Hot-Swap-, Inrush- und Linearmodusanwendungen eignet. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören Hot-Swap in 12-V- bis 20-V-Systemen, E-Sicherung, DC-Schalter, Lastschalter und Batterieschutz.

Kupferclip für niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand

LFPAK-Gehäuse mit hoher Zuverlässigkeit

Qualifiziert für 175 °C

Verwandte Links