Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 65 W, 5-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-413
Herst. Teile-Nr.:
PSMN075-100MSEX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

71mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.4nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEEE802.3at, RoHS

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wurde entwickelt, um die nächste Generation von Power-over-Ethernet-Systemen zu unterstützen, die bis zu 100 W an jedes mit Strom versorgte Gerät liefern können. Er erfüllt die erhöhten Anforderungen von Anwendungen wie Großbild-LCD-Displays, 3G/4G/Wi-Fi-Hotspots und Pan-Tilt-Zoom-CCTV-Kameras. Mit fortschrittlichen Funktionen für Sanftstartverfahren, Kurzschlussfestigkeit, thermisches Management und hoher Leistungsdichte sorgt er für eine zuverlässige und effiziente Leistung von Stromversorgungsgeräten in anspruchsvollen Umgebungen.

Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus

Niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste

Ultrazuverlässiges LFPAK33-Gehäuse

Sehr niedriger IDSS

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