Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 65 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-414
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN075-100MSEX
- Marke:
- Nexperia
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PSM | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 71mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEEE802.3at, RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PSM | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 71mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEEE802.3at, RoHS | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia wurde entwickelt, um die nächste Generation von Power-over-Ethernet-Systemen zu unterstützen, die bis zu 100 W an jedes mit Strom versorgte Gerät liefern können. Er erfüllt die erhöhten Anforderungen von Anwendungen wie Großbild-LCD-Displays, 3G/4G/Wi-Fi-Hotspots und Pan-Tilt-Zoom-CCTV-Kameras. Mit fortschrittlichen Funktionen für Sanftstartverfahren, Kurzschlussfestigkeit, thermisches Management und hoher Leistungsdichte sorgt er für eine zuverlässige und effiziente Leistung von Stromversorgungsgeräten in anspruchsvollen Umgebungen.
Verbesserter vorwärtsgerichteter sicherer Betriebsbereich für überragenden Betrieb im linearen Modus
Niedriger Rdson für niedrige Leitungsverluste
Ultrazuverlässiges LFPAK33-Gehäuse
Sehr niedriger IDSS
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