Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 280 A 198 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-426
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R0-40YLDX
- Marke:
- Nexperia
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- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.5 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 198W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.5 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 198W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige SchottkyPlus-Technologie von NXP nutzt, und bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine niedrige Spitzenleistung, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, aber ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 ist besonders geeignet für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad bei hohen Schaltfrequenzen.
Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Avalanche bewertet
Wave-Lötfähig
Super-schnelles Schalten mit sanfter Wiederherstellung
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