onsemi NTBL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 220-562
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
7,79 €
(ohne MwSt.)
9,27 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,79 € |
| 10 - 99 | 7,01 € |
| 100 - 499 | 6,46 € |
| 500 - 999 | 6,00 € |
| 1000 + | 4,87 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-562
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | NTBL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22.6V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 10.38mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie NTBL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22.6V | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 10.38mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Schnelles Schalten mit geringer Kapazität
RoHS-konform