onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L

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RS Best.-Nr.:
220-562
Herst. Teile-Nr.:
NTBL060N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTBL

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Gate-Source-spannung max Vgs

22.6 V

Durchlassspannung Vf

4.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.38 mm

Länge

9.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

2.3mm

Ursprungsland:
PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Schnelles Schalten mit geringer Kapazität

RoHS-konform

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