onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L

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RS Best.-Nr.:
220-564
Herst. Teile-Nr.:
NTBL075N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

37A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Serie

NTBL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

85mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

59nC

Durchlassspannung Vf

4.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Gate-Source-spannung max Vgs

22.6 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.38 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.3mm

Länge

9.9mm

Ursprungsland:
PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Schnelles Schalten mit geringer Kapazität

RoHS-konform

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