onsemi NTBL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 220-564
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL075N065SC1
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTBL | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 85mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.4V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.38mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTBL | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 85mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Durchlassspannung Vf 4.4V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.38mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Schnelles Schalten mit geringer Kapazität
RoHS-konform