onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 333-416
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL032N065M3S
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | EliteSiC | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie EliteSiC | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.
H PSOF8L-Paket
RoHS-Konformität
Bleifrei
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