onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L

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333-416
Herst. Teile-Nr.:
NTBL032N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EliteSiC

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Pinanzahl

8

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Durchlassspannung Vf

6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

9.9mm

Breite

10.38 mm

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

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