onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

7,73 €

(ohne MwSt.)

9,20 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1.985 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 97,73 €
10 - 996,97 €
100 - 4996,42 €
500 - 9995,95 €
1000 +4,85 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
333-416
Herst. Teile-Nr.:
NTBL032N065M3S
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Serie

EliteSiC

Pinanzahl

8

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

10.38 mm

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Länge

9.9mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

Verwandte Links