onsemi EliteSiC N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L

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333-416
Herst. Teile-Nr.:
NTBL032N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Serie

EliteSiC

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

227W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Länge

9.9mm

Breite

10.38mm

Normen/Zulassungen

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

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