onsemi SMD SiC-Schottky Diode , 650V / 11.6A, 3-Pin DPAK

RS Best.-Nr.:: 195-8716
Herst. Teile-Nr.:: FFSD0865B-F085
Marke:: onsemi

onsemi SMD SiC-Schottky Diode , 650V / 11.6A, 3-Pin DPAK

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Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

2,251 €

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(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	2,251 €	45,02 €
100 - 480	2,046 €	40,92 €
500 - 980	1,875 €	37,50 €
1000 +	1,731 €	34,62 €

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RS Best.-Nr.:: 195-8716
Herst. Teile-Nr.:: FFSD0865B-F085
Marke:: onsemi

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Datasheet FFSD0865B-F085

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, DPAK Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) für die Automobilindustrie, 650 V

Die Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) verwenden eine völlig neue Technologie, die gegenüber Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern. Vorteile des Systems umfassen höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße und Kosten.

Max. Sperrschichttemperatur (°C): 175 °C
PPAP-fähig
Hohe Spitzenstrom-Kapazität
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
Keine Sperrverzögerung/Keine Durchlasswiederkehrspannung
Anwendungen
Automobil HEV-EV-integrierte Ladegeräte
Automobil HEV-EV DC/DC-Wandler

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	DPAK
Dauer-Durchlassstrom max.	11.6A
Spitzen-Sperrspannung periodisch	650V
Diodenkonfiguration	Einfach
Gleichrichter-Typ	Schottky-Diode
Diode Typ	SiC-Schottky
Pinanzahl	3
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodentechnologie	SiC-Schottky