ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 24 A 93 W, 7-Pin SCT4062KWAHRTL TO-263-7LA
- RS Best.-Nr.:
- 264-886
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4062KWAHRTL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 81mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 21 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 93W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263-7LA | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 81mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 21 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 93W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) zeichnet sich durch eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aus.
Qualifiziert nach AEC-Q101
Niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Rückgewinnung
Leicht zu parallelisieren
Einfach zu fahren
Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform
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