ROHM SCT4036KWA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 40 A 150 W, 8-Pin TO-263-7LA
- RS Best.-Nr.:
- 687-344
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4036KWATL
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
23,88 €
(ohne MwSt.)
28,42 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 11,94 € | 23,88 € |
| 10 + | 11,585 € | 23,17 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-344
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4036KWATL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT4036KWA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 91nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 21 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.4mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Breite | 10.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-263-7LA | ||
Serie SCT4036KWA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 21 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.4mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
Breite 10.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt, die effiziente Schaltfunktionen erfordern. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 1200 V und einem typischen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 36 mΩ eignet sich dieses Gerät hervorragend in anspruchsvollen Umgebungen wie Solarwechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Sein robustes Design zeichnet sich durch einen hohen kontinuierlichen Ablassstrom von 40 A bei 25 °C aus, was die Vielseitigkeit in verschiedenen Anwendungen unterstützt. Das Gerät ist für schnelles Schalten optimiert und bietet eine erhöhte Effizienz. Darüber hinaus entspricht die Pb-freie Bleibeschichtung den RoHS-Normen und gewährleistet einen umweltfreundlichen Ansatz ohne Kompromisse bei der Leistung.
Geringer Widerstand für minimalen Leistungsverlust während des Betriebs
Unterstützt eine breite Palette von kontinuierlichen und pulsierenden Ablassströmen für mehr Flexibilität bei der Konstruktion
Optimiert für schnelle Schaltgeschwindigkeiten, was zu einer verbesserten Gesamteffizienz beiträgt
Robuste Wärmebeständigkeit, die einen zuverlässigen Betrieb bei hohen Temperaturen ermöglicht
Ein einfaches Gate-Drive-Design erleichtert die Integration in bestehende Systeme
Erfüllt die Umweltvorschriften durch Pb-freie Bleibeschichtung, die mit modernen Nachhaltigkeitspraktiken übereinstimmt
Bietet einen großen Kriechstreckenabstand von 4,7 mm, was die Zuverlässigkeit bei Hochspannungsanwendungen erhöht