ROHM SCT4018KWA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 75 A 267 W, 8-Pin TO-263-7LA
- RS Best.-Nr.:
- 687-342
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4018KWATL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT4018KWA | |
| Gehäusegröße | TO-263-7LA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 267W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 170nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 21 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.4mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Breite | 10.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT4018KWA | ||
Gehäusegröße TO-263-7LA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 267W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 170nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 21 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.4mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
Breite 10.2 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in einer Vielzahl von Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 1200 V und einem niedrigen Einschaltwiderstand von 18 mΩ optimiert dieser MOSFET die Leistung in hocheffizienten Systemen wie Solarwechselrichtern und Induktionsheizungen. Er bietet ein robustes Wärmemanagement mit einem Sperrschichttemperaturbereich von bis zu 175 °C und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch in anspruchsvollen Umgebungen. Das Gerät verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, die es ideal für Anwendungen macht, die ein Hochfrequenzschalten erfordern, wodurch die Gesamteffizienz und -leistung des Systems verbessert wird.
Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für minimalen Energieverlust während des Betriebs
Unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Effizienz
Entwickelt für den einfachen Parallelbetrieb, der die Skalierbarkeit erleichtert
Robuste thermische Eigenschaften ermöglichen den Betrieb unter extremen Bedingungen
Die Pb-freie Bleibeschichtung entspricht den RoHS-Normen für Umweltsicherheit
Großer Kriechstreckenabstand von 4,7 mm erhöht die Zuverlässigkeit bei Hochspannungsanwendungen
Ideal für verschiedene Anwendungen, einschließlich Solarwechselrichter und DC/DC-Wandler
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