ROHM R65 N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 125 A 78 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-310
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
8,55 €
(ohne MwSt.)
10,17 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,855 € | 8,55 € |
| 100 - 240 | 0,812 € | 8,12 € |
| 250 - 490 | 0,752 € | 7,52 € |
| 500 - 990 | 0,694 € | 6,94 € |
| 1000 + | 0,667 € | 6,67 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-310
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | R65 | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie R65 | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Power MOSFET verfügt über einen geringen Widerstand beim Einschalten und ist in einem kompakten, leistungsstarken, kleinen, geformten Gehäuse untergebracht. Es ist gut geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und bietet eine effiziente Leistung in platzschnellen Umgebungen.
Pb-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Hochleistungs-Kleinformgehäuse
Geringer Durchlasswiderstand
100 Prozent Rg- und UIS-getestet
Verwandte Links
- ROHM N-Kanal 8-Pin HSMT
- ROHM RH6G040BG N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 95 A 104 W HSMT-8
- ROHM RH6P040BH N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 104 W HSMT-8
- ROHM RQ3 N-Kanal 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 N-Kanal 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 N-Kanal 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3 N-Kanal 8-Pin HSMT-8
- ROHM RQ3G100GN N-Kanal 8-Pin HSMT