ROHM RQ5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V 1 W, 3-Pin TSMT-3

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RS Best.-Nr.:
265-321
Herst. Teile-Nr.:
RQ5P035BGTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RQ5

Gehäusegröße

TSMT-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Power MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, was ihn für Schaltanwendungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler äußerst effizient macht. Sein Design gewährleistet optimale Leistung und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen.

RoHS-Konformität

Geringer Widerstand

Pb-freie Beschichtung

Halogenfrei

100 Prozent Rg und UIS getestet

Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse

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