ROHM RQ5E035BN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1 W, 3-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 133-3300
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E035BNTCL
- Marke:
- ROHM
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- 133-3300
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- RQ5E035BNTCL
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Serie | RQ5E035BN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Serie RQ5E035BN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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