ROHM RUR020N02 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
124-6841
Herst. Teile-Nr.:
RUR020N02TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

RUR020N02

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.8 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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