Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 61 A 263 W, 8-Pin IMT65R039M1HXUMA1

Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 ist ein bahnbrechendes Stromversorgungsgerät, das eine außergewöhnliche Leistung bietet, indem es die fortschrittlichen Eigenschaften der Siliziumkarbid-Technologie nutzt. Dieser auf hohe Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegte MOSFET eignet sich hervorragend für Anwendungen, die eine hervorragende thermische Stabilität und hohe Leistung unter rauen Bedingungen erfordern. Mit einer innovativen Gate-Oxid-Struktur und einem überlegenen Schaltverhalten reduziert er die Verluste bei höheren Strömen erheblich und gewährleistet Langlebigkeit und Sicherheit in verschiedenen elektrischen Umgebungen. Der CoolSiC MOSFET eignet sich perfekt für Anwendungen wie Stromversorgungssysteme, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und Lösungen für erneuerbare Energien und ist eine vielseitige Lösung, die den hohen Anforderungen der modernen Leistungselektronik gerecht wird. Dieses Gerät ist ein Beweis für mehr als 20 Jahre technische Spitzenleistungen und dient als robuste Grundlage für Energielösungen der nächsten Generation.

Optimiertes Schalten erhöht die Leistung