Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 50 A 227 W, 8-Pin IMT65R048M1HXUMA1

Der Infineon CoolSiC MOSFET 650V G1 ist der Inbegriff von Innovation in der Halbleitertechnologie. Dieser Hochleistungsbaustein nutzt die robuste Siliziumkarbidtechnologie und optimiert die Effizienz und Zuverlässigkeit für Anwendungen, die eine hervorragende thermische Leistung und Stabilität erfordern. Er wurde speziell für anspruchsvolle Umgebungen entwickelt und eignet sich hervorragend für den Betrieb bei hohen Temperaturen, während er gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen sorgt der MOSFET dafür, dass Benutzer eine ausgezeichnete Leistungsdichte erreichen und Platz sparen können, womit er eine ideale Wahl für eine Reihe von Anwendungen einschließlich der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Solarumrichter und effiziente Netzteile ist. Der CoolSiC MOSFET 650 V G1 ist mehr als nur eine Komponente; er verkörpert ein Engagement für Leistung und Zuverlässigkeit, perfekt für moderne elektronische Lösungen.

Optimiert für Hochfrequenzanwendungen