Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 50 A 227 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-721
- Herst. Teile-Nr.:
- IMT65R048M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IMT65R048M1HXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC MOSFET 650 V G1 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 64mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC MOSFET 650 V G1 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650V G1 ist der Inbegriff von Innovation in der Halbleitertechnologie. Dieser Hochleistungsbaustein nutzt die robuste Siliziumkarbidtechnologie und optimiert die Effizienz und Zuverlässigkeit für Anwendungen, die eine hervorragende thermische Leistung und Stabilität erfordern. Er wurde speziell für anspruchsvolle Umgebungen entwickelt und eignet sich hervorragend für den Betrieb bei hohen Temperaturen, während er gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen sorgt der MOSFET dafür, dass Benutzer eine ausgezeichnete Leistungsdichte erreichen und Platz sparen können, womit er eine ideale Wahl für eine Reihe von Anwendungen einschließlich der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Solarumrichter und effiziente Netzteile ist. Der CoolSiC MOSFET 650 V G1 ist mehr als nur eine Komponente; er verkörpert ein Engagement für Leistung und Zuverlässigkeit, perfekt für moderne elektronische Lösungen.
Optimiert für Hochfrequenzanwendungen
Robuste thermische Leistung für raue Umgebungen
Verbesserte Zuverlässigkeit für eine längere Lebensdauer
Geringe Schaltverluste verbessern den Wirkungsgrad
Kompaktes Design reduziert den Platzbedarf des Systems
Branchenführende Avalanche-Fähigkeit für Fehlertoleranz
Benutzerfreundliche Integration mit Standardtreibern
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