Infineon 600V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 112 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

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RS Best.-Nr.:
284-741
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

112 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

600V CoolMOS

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET ist mit einem CoolMOS der CFD7-Serie ausgestattet, einem bahnbrechenden Leistungstransistor, der speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer beachtlichen Nennspannung von 600 V zeichnet es sich durch seine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit aus. Die fortschrittliche Super-Junction-Technologie bietet eine unvergleichliche Leistung, insbesondere bei Soft-Switching-Anwendungen wie phasenverschobenen Vollbrückenwandlern und LLC-Resonanztopologien. Durch die Optimierung der Gate-Ladung und der Reverse-Recovery-Charakteristik werden die Verluste erheblich reduziert, wodurch die Gesamtleistung von Stromversorgungssystemen gesteigert wird. Dieses Produkt ist die ideale Wahl für Branchen, die eine robuste elektrische Leistung erfordern, wie Server-Ökosysteme, Telekommunikation und das Aufladen von Elektrofahrzeugen.

Optimiert für weiche Schalttopologien
Niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Schalten
Überlegene Rückgewinnung verbessert die Leistung
Entwickelt für hohe Zuverlässigkeit und Betriebszeit
Erhöht die Leistungsdichte und spart Platz
Qualifiziert nach JEDEC-Standards für die Industrie

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