Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

Der Infineon-MOSFET ist ein Leistungstransistor, der sich vorbildlich für Anwendungen eignet, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Dieser für die Synchrongleichrichtung optimierte N-Kanal-Baustein gehört zur OptiMOS 5-Serie, die für ihre robuste thermische Leistung und ihren niedrigen Durchlasswiderstand bekannt ist. Das Gerät arbeitet effektiv mit Spannungen von bis zu 80 V und eignet sich daher für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen. Mit Merkmalen wie der 100-prozentigen Avalanche-Prüfung und einem Pb-freien Design, das die RoHS-Normen erfüllt, verkörpert dieses Produkt sowohl Sicherheit als auch Nachhaltigkeit in seinem Herstellungsprozess. Seine kleine Abmessung und seine hohe Leistung manifestieren sich in dem fortschrittlichen Design, das überlegene thermische Eigenschaften gewährleistet und eine ausgezeichnete Option für Designer darstellt, die die Gesamteffizienz des Systems verbessern möchten.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung