Infineon OptiMOS 5 Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 447 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

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RS Best.-Nr.:
348-881
Herst. Teile-Nr.:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

447A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.86mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 0,86 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden thermischen Leistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Centre-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert.

Reduziertes Überschwingen der Spannung

Erhöhte maximale Strombelastbarkeit

Schnelles Umschalten

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