Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 447 A 333 W, 9-Pin IQDH88N06LM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-944
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
12.445,00 €
(ohne MwSt.)
14.810,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,489 € | 12.445,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-944
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 447A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.86mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 447A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.86mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Mit fortschrittlicher Halbleitertechnologie bietet diese Komponente ein überlegenes Wärmemanagement und einen niedrigen Einschaltwiderstand, womit sie sich ideal für Stromumwandlungslösungen eignet. Mit seiner hohen Lawinenenergieeinstufung und der strengen Validierung gemäß JEDEC-Standards können Sie sich darauf verlassen, dass dieses Produkt strenge Betriebsanforderungen erfüllt und gleichzeitig Sicherheit und Langlebigkeit aufrechterhält.
Optimierter Wärmewiderstand für die Kühlung
Qualifiziert für industrielle Zuverlässigkeit
Pb-freie Bleibeschichtung für Umweltfreundlichkeit
Geringe Gate-Ansteuerungsanforderungen vereinfachen Schaltungen
Robustes Design für hohe Ableitströme
100% lawinengeprüft und zuverlässig
Kompaktes Paket für einfache Integration
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQDH88N06LM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQD016N08NM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQD005N04NM6CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQDH45N04LM6CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQD009N06NM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQD020N10NM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQDH29NE2LM5CGATMA1 PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin IQE022N06LM5CGATMA1 PG-TTFN-9