Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 447 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-945
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
7,82 €
(ohne MwSt.)
9,30 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,91 € | 7,82 € |
| 20 - 198 | 3,53 € | 7,06 € |
| 200 - 998 | 3,245 € | 6,49 € |
| 1000 - 1998 | 3,01 € | 6,02 € |
| 2000 + | 2,70 € | 5,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-945
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 447A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.86mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 447A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.86mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Mit fortschrittlicher Halbleitertechnologie bietet diese Komponente ein überlegenes Wärmemanagement und einen niedrigen Einschaltwiderstand, womit sie sich ideal für Stromumwandlungslösungen eignet. Mit seiner hohen Lawinenenergieeinstufung und der strengen Validierung gemäß JEDEC-Standards können Sie sich darauf verlassen, dass dieses Produkt strenge Betriebsanforderungen erfüllt und gleichzeitig Sicherheit und Langlebigkeit aufrechterhält.
Optimierter Wärmewiderstand für die Kühlung
Qualifiziert für industrielle Zuverlässigkeit
Pb-freie Bleibeschichtung für Umweltfreundlichkeit
Geringe Gate-Ansteuerungsanforderungen vereinfachen Schaltungen
Robustes Design für hohe Ableitströme
100% lawinengeprüft und zuverlässig
Kompaktes Paket für einfache Integration
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
