Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 323 A 333 W, 9-Pin IQD016N08NM5CGATMA1 PG-TTFN-9

Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, der für außergewöhnliche Leistung mit seinem Advanced N-Kanal-Design entwickelt wurde. Dieses robuste Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und ein geringer Einschaltwiderstand von größter Bedeutung sind. Er arbeitet mit einer Durchbruchspannung von 80 V und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Mit seinem überragenden Wärmewiderstandsprofil hält dieser Leistungstransistor den harten Anforderungen industrieller Anwendungen stand und ist damit eine ideale Lösung für Ingenieure, die die Energieeffizienz von Power-Management-Systemen verbessern wollen. Darüber hinaus garantiert der umfassende Validierungsprozess die Einhaltung höchster Zuverlässigkeits- und Sicherheitsstandards und stellt sicher, dass Ihre Entwürfe sowohl leistungsfähig als auch widerstandsfähig sind.

N-Kanal für effiziente Stromleitung